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TPH5200FNH,L1Q

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MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP

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TPH5200FNH,L1Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $1.20120 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 26A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 52mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2200 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 78W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

STL90N6F7
STL90N6F7
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IXFK120N30T
IXFK120N30T
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DMS2120LFWB-7
IRFR5410TRPBF
PSMN1R8-30MLHX
SIR624DP-T1-RE3
IRFB7534PBF
FCB20N60FTM
FCB20N60FTM
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CSD16415Q5T
CSD16415Q5T
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