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TPH5900CNH,L1Q

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MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP

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TPH5900CNH,L1Q Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 59mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 200µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 600 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SI4155DY-T1-GE3
2SK4197FS
2SK4197FS
$0 $/Stück
DMPH4015SSSQ-13
STFI6N65K3
STFI6N65K3
$0 $/Stück
DN2530N8-G
NTD95N02RG
NTD95N02RG
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