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TPH6R30ANL,L1Q

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MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP

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TPH6R30ANL,L1Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.42420 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 66A (Ta), 45A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 500µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4300 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 54W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SIHG61N65EF-GE3
IXFB100N50P
IXFB100N50P
$0 $/Stück
DMN10H170SVT-7
FDC365P
FDC365P
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NTMT064N65S3H
NTMT064N65S3H
$0 $/Stück
SI4126DY-T1-GE3

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