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TP65H070LDG

TP65H070LDG

TP65H070LDG

Transphorm

GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN

TP65H070LDG Technisches Datenblatt

nicht konform

TP65H070LDG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $13.74000 $13.74
500 $13.6026 $6801.3
1000 $13.4652 $13465.2
1500 $13.3278 $19991.7
2000 $13.1904 $26380.8
2500 $13.053 $32632.5
53 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 85mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.8V @ 700µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 600 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 96W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 3-PQFN (8x8)
Paket / Koffer 3-PowerDFN
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