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HCT802TXV

HCT802TXV

HCT802TXV

MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD

HCT802TXV Technisches Datenblatt

nicht konform

HCT802TXV Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
100 $44.84480 $4484.48
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 90V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A, 1.1A
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 70pF @ 25V
Leistung - max. 500mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-SMD, No Lead
Lieferantengerätepaket 6-SMD
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Zugehörige Teilenummer

SI7501DN-T1-E3
IRF7504TRPBF
NTZD3155CT1H
NTZD3155CT1H
$0 $/Stück
MP6K11TCR
MP6K11TCR
$0 $/Stück
EFC6602R-A-TR
EFC6602R-A-TR
$0 $/Stück
EFC6601R-A-TR
EFC6601R-A-TR
$0 $/Stück
SI7964DP-T1-GE3
FW344A-TL-2W
FW344A-TL-2W
$0 $/Stück
2N7002DW-7

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