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UF3C065080T3S

UF3C065080T3S

UF3C065080T3S

UnitedSiC

MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3

SOT-23

nicht konform

UF3C065080T3S Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $8.14000 $8.14
500 $8.0586 $4029.3
1000 $7.9772 $7977.2
1500 $7.8958 $11843.7
2000 $7.8144 $15628.8
2500 $7.733 $19332.5
4973 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 31A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 12V
rds ein (max) @ id, vgs 100mOhm @ 20A, 12V
vgs(th) (max) @ ID 6V @ 10mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 51 nC @ 15 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1500 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 190W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SI2377EDS-T1-BE3
SIS782DN-T1-GE3
CSD19503KCS
CSD19503KCS
$0 $/Stück
NTMFS4C250NT1G
NTMFS4C250NT1G
$0 $/Stück
NTDV20N06T4G-VF01
NTDV20N06T4G-VF01
$0 $/Stück
FDP5N50

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