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UJ3D06508TS

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UnitedSiC

650V 8A SIC SCHOTTKY DIODE G3, T

UJ3D06508TS Technisches Datenblatt

compliant

UJ3D06508TS Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.50000 $3.5
500 $3.465 $1732.5
1000 $3.43 $3430
1500 $3.395 $5092.5
2000 $3.36 $6720
2500 $3.325 $8312.5
291 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 650 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 8A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 8 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 50 µA @ 650 V
Kapazität @ vr, f 250pF @ 1V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-220-2
Lieferantengerätepaket TO-220-2
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
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Zugehörige Teilenummer

S100
S100
$0 $/Stück
RS1M
RS1M
$0 $/Stück
ACDSW4448-HF
UF1K-TP
UF1K-TP
$0 $/Stück
FFSH3065B-F085
FFSH3065B-F085
$0 $/Stück
CDBQR43-HF
CDBQR43-HF
$0 $/Stück

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