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1N6483-E3/96

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DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

nicht konform

1N6483-E3/96 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.48000 $0.48
500 $0.4752 $237.6
1000 $0.4704 $470.4
1500 $0.4656 $698.4
2000 $0.4608 $921.6
2500 $0.456 $1140
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 800 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.1 V @ 1 A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 10 µA @ 800 V
Kapazität @ vr, f 8pF @ 4V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer DO-213AB, MELF (Glass)
Lieferantengerätepaket DO-213AB
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -65°C ~ 175°C
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