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ES1BHE3_A/H

ES1BHE3_A/H

ES1BHE3_A/H

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

ES1BHE3_A/H Technisches Datenblatt

nicht konform

ES1BHE3_A/H Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,800 $0.13195 -
3,600 $0.12220 -
5,400 $0.11570 -
12,600 $0.10920 -
45,000 $0.10595 -
1662 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 100 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 920 mV @ 1 A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 25 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 5 µA @ 100 V
Kapazität @ vr, f 10pF @ 4V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer DO-214AC, SMA
Lieferantengerätepaket DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 150°C
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