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NSB8JT-E3/81

NSB8JT-E3/81

NSB8JT-E3/81

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

nicht konform

NSB8JT-E3/81 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $0.65305 $522.44
1,600 $0.53042 -
2,400 $0.49976 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 600 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 8A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.1 V @ 8 A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 10 µA @ 600 V
Kapazität @ vr, f 55pF @ 4V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket TO-263AB (D²PAK)
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 150°C
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