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NSB8MTHE3_B/P

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NSB8MTHE3_B/P

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

nicht konform

NSB8MTHE3_B/P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.69300 $0.693
500 $0.68607 $343.035
1000 $0.67914 $679.14
1500 $0.67221 $1008.315
2000 $0.66528 $1330.56
2500 $0.65835 $1645.875
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1000 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 8A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.1 V @ 8 A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 10 µA @ 1000 V
Kapazität @ vr, f 55pF @ 4V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket TO-263AB (D²PAK)
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 150°C
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