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S1FLJ-GS18

S1FLJ-GS18

S1FLJ-GS18

DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB

SOT-23

S1FLJ-GS18 Technisches Datenblatt

nicht konform

S1FLJ-GS18 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50,000 $0.04340 -
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 600 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 700mA
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.1 V @ 1 A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 1.8 µs
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 10 µA @ 600 V
Kapazität @ vr, f 4pF @ 4V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer DO-219AB
Lieferantengerätepaket DO-219AB (SMF)
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 150°C
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