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SE10FJHM3/H

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DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB

SE10FJHM3/H Technisches Datenblatt

nicht konform

SE10FJHM3/H Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30,000 $0.08854 -
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 600 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.05 V @ 1 A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 780 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 5 µA @ 600 V
Kapazität @ vr, f 7.5pF @ 4V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer DO-219AB
Lieferantengerätepaket DO-219AB (SMF)
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
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