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US1MHE3_A/H

US1MHE3_A/H

US1MHE3_A/H

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

US1MHE3_A/H Technisches Datenblatt

nicht konform

US1MHE3_A/H Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,800 $0.14697 -
3,600 $0.13611 -
5,400 $0.12887 -
12,600 $0.12163 -
45,000 $0.11801 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1000 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 1 A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 75 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 10 µA @ 1000 V
Kapazität @ vr, f 10pF @ 4V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer DO-214AC, SMA
Lieferantengerätepaket DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 150°C
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