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2N6661JTVP02

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

compliant

2N6661JTVP02 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 90 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 860mA (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-39
Paket / Koffer TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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Zugehörige Teilenummer

NTD14N03RT4
NTD14N03RT4
$0 $/Stück
FDS9400A
IRF840LCL
IRF840LCL
$0 $/Stück
IRF7492TR
SI5475BDC-T1-E3
GA50JT12-263
STP180N10F3
FDB42AN15A0
IRFBE20STRL
IRFBE20STRL
$0 $/Stück

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