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IRF510PBF

IRF510PBF

IRF510PBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

IRF510PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRF510PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.06000 $1.06
50 $0.84800 $42.4
100 $0.74550 $74.55
500 $0.58408 $292.04
1,000 $0.46673 -
2,500 $0.43739 -
5,000 $0.41685 -
9281 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 540mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 180 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 43W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRF1407PBF
SI3483CDV-T1-GE3
RD3S100AAFRATL
SFP9620
5LP01SP-AC
5LP01SP-AC
$0 $/Stück
NTDS015N15MCT4G
NTDS015N15MCT4G
$0 $/Stück
PSMN2R2-40PS,127

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