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IRF614PBF

IRF614PBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 2.7A TO220AB

IRF614PBF Technisches Datenblatt

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IRF614PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.75735 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 140 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SI3457CDV-T1-GE3
DMP2123L-7
IXFN420N10T
IXFN420N10T
$0 $/Stück
CSD19533KCS
CSD19533KCS
$0 $/Stück
NVMFS5C638NLT1G
NVMFS5C638NLT1G
$0 $/Stück
IXFH44N50Q3
IXFH44N50Q3
$0 $/Stück
FCP125N65S3R0
FCP125N65S3R0
$0 $/Stück
DMN2022UFDF-7
NTD4855N-1G
NTD4855N-1G
$0 $/Stück

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