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IRF630PBF-BE3

IRF630PBF-BE3

IRF630PBF-BE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

compliant

IRF630PBF-BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.60000 $1.6
500 $1.584 $792
1000 $1.568 $1568
1500 $1.552 $2328
2000 $1.536 $3072
2500 $1.52 $3800
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 400mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 43 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 74W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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