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IRF710PBF

IRF710PBF

IRF710PBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB

IRF710PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRF710PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.00000 $1
50 $0.80200 $40.1
100 $0.70490 $70.49
500 $0.55232 $276.16
1,000 $0.44135 -
2,500 $0.41361 -
5,000 $0.39419 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 400 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 170 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

5HN01M-TL-E-SA
5HN01M-TL-E-SA
$0 $/Stück
TN5325N3-G
IXFH150N17T2
IXFH150N17T2
$0 $/Stück
APT17F80B
FDC8884
FDC8884
$0 $/Stück
BUK9M8R5-40HX
RSJ400N10FRATL

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