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IRF730PBF

IRF730PBF

IRF730PBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB

IRF730PBF Technisches Datenblatt

compliant

IRF730PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.54000 $1.54
50 $1.22860 $61.43
100 $1.07500 $107.5
500 $0.83370 $416.85
1,000 $0.65819 -
2,500 $0.61431 -
5,000 $0.58359 -
8045 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 400 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 74W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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