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IRFBF30PBF-BE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB

nicht konform

IRFBF30PBF-BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.01000 $3.01
500 $2.9799 $1489.95
1000 $2.9498 $2949.8
1500 $2.9197 $4379.55
2000 $2.8896 $5779.2
2500 $2.8595 $7148.75
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 900 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

PSMN3R0-30YLDX
FCPF400N80ZL1-F154
FCPF400N80ZL1-F154
$0 $/Stück
NDP6060L
NDP6060L
$0 $/Stück
SIRA90DP-T1-RE3
APT10M11LVRG
MTB50P03HDLT4G
MTB50P03HDLT4G
$0 $/Stück
NTB4302T4
NTB4302T4
$0 $/Stück

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