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IRFBG30

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB

IRFBG30 Technisches Datenblatt

compliant

IRFBG30 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 980 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IPW60R099C7
FQB7N20TM
FQB7N20TM
$0 $/Stück
IRL3102L
IRL3102L
$0 $/Stück
IRL3705NSTRL
BSS83PE6327
NTK3139PT1H
NTK3139PT1H
$0 $/Stück

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