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IRFPC50APBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

IRFPC50APBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFPC50APBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.98000 $3.98
25 $3.21880 $80.47
100 $2.94380 $294.38
500 $2.40750 $1203.75
1,000 $2.05000 -
2,500 $1.95375 -
5,000 $1.88500 -
750 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 580mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 180W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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