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IRFPC60PBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3

IRFPC60PBF Technisches Datenblatt

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IRFPC60PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
500 $4.53246 $2266.23
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 400mOhm @ 9.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 210 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 280W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STH320N4F6-6
FQPF6N70
PSMN6R0-25YLD115
PSMN6R0-25YLD115
$0 $/Stück
NTMFS4C06NBT1G
NTMFS4C06NBT1G
$0 $/Stück
SIHP20N50E-GE3
SI2300-TP
SI2300-TP
$0 $/Stück
SI7328DN-T1-E3
FDB045AN08A0
FDB045AN08A0
$0 $/Stück
SI6466DQ
BUK655R0-75C,127
BUK655R0-75C,127
$0 $/Stück

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