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IRFPE30PBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3

IRFPE30PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFPE30PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.16000 $6.16
10 $5.50000 $55
100 $4.51000 $451
500 $3.65200 $1826
1,000 $3.08000 -
2,500 $2.92600 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STFI28N60M2
MIC94052YC6-TR
NTMFS6H801NLT1G
NTMFS6H801NLT1G
$0 $/Stück
FDB38N30U
FDB38N30U
$0 $/Stück
FCH040N65S3-F155
FCH040N65S3-F155
$0 $/Stück
SI3476DV-T1-BE3

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