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IRFZ14PBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB

IRFZ14PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFZ14PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.15000 $1.15
50 $0.92920 $46.46
100 $0.81670 $81.67
500 $0.63992 $319.96
1,000 $0.51135 -
2,500 $0.47921 -
5,000 $0.45671 -
1900 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 200mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 43W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IXFJ20N85X
IXFJ20N85X
$0 $/Stück
PHK13N03LT,518
PSMN045-80YS,115
SFI9Z24TU
FDS6690A
FDS6690A
$0 $/Stück
RM50N200T2
RM50N200T2
$0 $/Stück
C3M0032120K
C3M0032120K
$0 $/Stück
IXTT69N30P
IXTT69N30P
$0 $/Stück
DMP31D7LFBQ-7B

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