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IRL3502L

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 110A TO262-3

IRL3502L Technisches Datenblatt

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IRL3502L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
250 $2.29956 $574.89
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 110A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 7V
rds ein (max) @ id, vgs 7mOhm @ 64A, 7V
vgs(th) (max) @ ID 700mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4700 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 140W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-262-3
Paket / Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Zugehörige Teilenummer

SI3495DV-T1-E3
STW55NM60ND
FDMS86101E
FDMS86101E
$0 $/Stück
IRFZ44VSTRL
FQPF1P50
MCMN2012-TP
MCU10N10-TP
BUK7L06-34ARC,127
IXTP130N065T2
IXTP130N065T2
$0 $/Stück

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