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IRL630PBF

IRL630PBF

IRL630PBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

IRL630PBF Technisches Datenblatt

compliant

IRL630PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.59000 $2.59
10 $2.33800 $23.38
100 $1.87850 $187.85
500 $1.46108 $730.54
1,000 $1.21061 -
3,000 $1.12712 -
5,000 $1.08537 -
990 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4V, 5V
rds ein (max) @ id, vgs 400mOhm @ 5.4A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 74W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NTD50N03R-35G
NTD50N03R-35G
$0 $/Stück
VP2450N3-G
NVMFS5C468NLWFAFT1G
NVMFS5C468NLWFAFT1G
$0 $/Stück
DMN65D9L-7
STS9NF3LL
STS9NF3LL
$0 $/Stück
FDP7N50
FQPF5N50CYDTU
FQPF5N50CYDTU
$0 $/Stück
ZXM64P03XTA
UF3C065030T3S
UF3C065030T3S
$0 $/Stück

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