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IRLI520GPBF

IRLI520GPBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3

IRLI520GPBF Technisches Datenblatt

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IRLI520GPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.10006 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4V, 5V
rds ein (max) @ id, vgs 270mOhm @ 4.3A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 490 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 37W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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Zugehörige Teilenummer

SIHP15N50E-BE3
SI1480DH-T1-GE3
NX3020NAK,215
RM830
RM830
$0 $/Stück
CSD18541F5T
CSD18541F5T
$0 $/Stück
SFI9Z14TU
FQI7N10LTU

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