Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SI1032X-T1-GE3

SI1032X-T1-GE3

SI1032X-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

nicht konform

SI1032X-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.14520 -
6,000 $0.13640 -
15,000 $0.12760 -
30,000 $0.11704 -
75,000 $0.11264 -
235 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.75 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±6V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-89-3
Paket / Koffer SC-89, SOT-490
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

ZVP1320FQTA
IXTY1R4N100P
IXTY1R4N100P
$0 $/Stück
2SK1460LS
2SK1460LS
$0 $/Stück
IRFR9024TRPBF
STD100NH02LT4

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.