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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 8 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 1.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 1.5V, 4.5V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 122mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| vgs(th) (max) @ ID | 1V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 9.45 nC @ 5 V |
| vgs (max) | ±5V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 560 pF @ 4 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 236mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SC-89 (SOT-563F) |
| Paket / Koffer | SOT-563, SOT-666 |
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