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SI1067X-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

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SI1067X-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.06A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 150mOhm @ 1.06A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 950mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9.3 nC @ 5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 375 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 236mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-89 (SOT-563F)
Paket / Koffer SOT-563, SOT-666
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Zugehörige Teilenummer

FQD19N10TF
FQD19N10TF
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DKI10526
DKI10526
$0 $/Stück
STFI34NM60N
SUM90N06-5M5P-E3
BTS282ZDELCO

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