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SI1411DH-T1-GE3

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SI1411DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363

nicht konform

SI1411DH-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.38816 -
6,000 $0.36297 -
15,000 $0.35037 -
30,000 $0.34350 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 420mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-70-6
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Zugehörige Teilenummer

IXFA24N60X
IXFA24N60X
$0 $/Stück
BUK7Y7R6-40EX
2SK1419
2SK1419
$0 $/Stück
IRFU310PBF
IRFU310PBF
$0 $/Stück
STP3NK50Z
STP3NK50Z
$0 $/Stück
ACMSP2303T-HF
IRFH5406TRPBF
SUM85N15-19-E3

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