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SI1416EDH-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363

nicht konform

SI1416EDH-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.14746 -
6,000 $0.13899 -
15,000 $0.13052 -
30,000 $0.12035 -
75,000 $0.11612 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 58mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-70-6
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Zugehörige Teilenummer

IRFR7446TRPBF
IRFR110TRLPBF-BE3
NVMJS1D0N04CTWG
NVMJS1D0N04CTWG
$0 $/Stück
SCT3040KLGC11
FQB3N60CTM
FDD6670A
FDD6670A
$0 $/Stück
IRF9510PBF
IRF9510PBF
$0 $/Stück
DMT6011LSS-13
2SK2628LS
2SK2628LS
$0 $/Stück
SI7716ADN-T1-GE3

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