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SI1417EDH-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6

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SI1417EDH-T1-GE3 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 450mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-70-6
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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