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SI1480DH-T1-BE3

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SI1480DH-T1-BE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70

nicht konform

SI1480DH-T1-BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.53000 $0.53
500 $0.5247 $262.35
1000 $0.5194 $519.4
1500 $0.5141 $771.15
2000 $0.5088 $1017.6
2500 $0.5035 $1258.75
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 200mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 130 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-70-6
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Zugehörige Teilenummer

IXTH76P10T
IXTH76P10T
$0 $/Stück
IXTP26P20P
IXTP26P20P
$0 $/Stück
FQPF6N60C
FDBL0210N80
FDBL0210N80
$0 $/Stück
STN3NF06L
STN3NF06L
$0 $/Stück

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