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SI1965DH-T1-E3

SI1965DH-T1-E3

SI1965DH-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

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SI1965DH-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.19855 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.3A
rds ein (max) @ id, vgs 390mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.2nC @ 8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 120pF @ 6V
Leistung - max. 1.25W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

CSD75208W1015T
SCH1402-S-TL-E
SCH1402-S-TL-E
$0 $/Stück
PMZ370UNE,315
MIC5018BM4TR
DMC4050SSDQ-13
NTMFD6H846NLT1G
NTMFD6H846NLT1G
$0 $/Stück
SI4936CDY-T1-E3

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