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SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3

compliant

SI2318CDS-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.14363 -
6,000 $0.13538 -
15,000 $0.12713 -
30,000 $0.11723 -
75,000 $0.11310 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 42mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 340 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

DMT616MLSS-13
FDA59N25
FDA59N25
$0 $/Stück
NTMFS5C423NLT3G
NTMFS5C423NLT3G
$0 $/Stück
IRFR420TRLPBF
PH8230E,115
PH8230E,115
$0 $/Stück
FDAF62N28
IXFL38N100P
IXFL38N100P
$0 $/Stück

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