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SI2319CDS-T1-BE3

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SI2319CDS-T1-BE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23

nicht konform

SI2319CDS-T1-BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.60000 $0.6
500 $0.594 $297
1000 $0.588 $588
1500 $0.582 $873
2000 $0.576 $1152
2500 $0.57 $1425
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 77mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 595 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

FQP16N25C
IRFU120NPBF
RTL020P02TR
BSS127S-7
BSS127S-7
$0 $/Stück
NTK3043NT5G
NTK3043NT5G
$0 $/Stück
BUK758R3-40E,127
NVMFD6H852NLT1G
NVMFD6H852NLT1G
$0 $/Stück
FDP5690
STK22N6F3
STK22N6F3
$0 $/Stück

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