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SI2323DS-T1-GE3

SI2323DS-T1-GE3

SI2323DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

compliant

SI2323DS-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.26479 -
6,000 $0.24866 -
15,000 $0.23252 -
30,000 $0.22122 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1020 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

IXTP120N075T2
IXTP120N075T2
$0 $/Stück
SQS405ENW-T1_GE3
SPD04N60C2
IRF640PBF-BE3
FDP2670
SI7858ADP-T1-E3

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