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SI2324DS-T1-GE3

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SI2324DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3

nicht konform

SI2324DS-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.25270 -
6,000 $0.23730 -
15,000 $0.22190 -
30,000 $0.21112 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 234mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.9V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 190 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

R6535KNZ4C13
DMG3402LQ-7
SQ4435EY-T1_BE3
SI4062DY-T1-GE3
STI33N65M2
STI33N65M2
$0 $/Stück
NVMFS5C628NT1G
NVMFS5C628NT1G
$0 $/Stück
STD4NK80ZT4

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