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SI2336DS-T1-GE3

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SI2336DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3

nicht konform

SI2336DS-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 8 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 560 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

RM2304
RM2304
$0 $/Stück
STD100N3LF3
IRFP4768PBF
IRFB9N65APBF-BE3
IRF135S203
RE1C001UNTCL
FDFMA3P029Z
SI4425BDY-T1-E3

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