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SI2338DS-T1-BE3

SI2338DS-T1-BE3

SI2338DS-T1-BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

compliant

SI2338DS-T1-BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.5A (Ta), 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 28mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 424 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

SIHB22N60AE-GE3
SQJ402EP-T1_GE3
MMFT1N10ET1
MMFT1N10ET1
$0 $/Stück
APT6029BLLG
R6003KND3TL1
FDS6612A
FDS6612A
$0 $/Stück

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