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SI2338DS-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 6A SOT23

nicht konform

SI2338DS-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.20758 -
6,000 $0.19493 -
15,000 $0.18228 -
30,000 $0.17342 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 28mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 424 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

FDP6030BL
NTMFS4C08NT3G
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R6015ENJTL
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PMXB43UNEZ
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NTS4001NT3G
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RM130N200T2
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3LN01SS-TL-H
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IXFH36N60P
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