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SI2366DS-T1-BE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

nicht konform

SI2366DS-T1-BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.48000 $0.48
500 $0.4752 $237.6
1000 $0.4704 $470.4
1500 $0.4656 $698.4
2000 $0.4608 $921.6
2500 $0.456 $1140
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.5A (Ta), 5.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 36mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 335 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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