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SI3474DV-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP

nicht konform

SI3474DV-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.17310 -
6,000 $0.16255 -
15,000 $0.15200 -
30,000 $0.14462 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 126mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 196 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.6W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

NTD23N03RT4
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$0 $/Stück
IRFD9120PBF
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FQD7N20LTM
BUK9E4R4-80E,127
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$0 $/Stück
AUIRFS4010-7P
IXTH52P10P
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