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SI3529DV-T1-E3

SI3529DV-T1-E3

SI3529DV-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

nicht konform

SI3529DV-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.5A, 1.95A
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 205pF @ 20V
Leistung - max. 1.4W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
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Zugehörige Teilenummer

ZXMC4A16DN8TC
IRF7335D1TR
SIA913DJ-T1-GE3
SI1903DL-T1-E3
IRF7757TRPBF
SI7904DN-T1-E3
NTGD4161PT1G
NTGD4161PT1G
$0 $/Stück
IRF5851TRPBF

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