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SI3585DV-T1-GE3

SI3585DV-T1-GE3

SI3585DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

compliant

SI3585DV-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A, 1.5A
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 600mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 3.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 830mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
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Zugehörige Teilenummer

SP8M51FRATB
FW389-TL-2W
FW389-TL-2W
$0 $/Stück
BSO207PNTMA1
NTJD4158CT2G
NTJD4158CT2G
$0 $/Stück
SQ4946EY-T1-E3
SI7958DP-T1-GE3
SIS902DN-T1-GE3
NDC7002N_SB9G007
NDC7002N_SB9G007
$0 $/Stück
SI3993DV-T1-E3

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