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SI3590DV-T1-E3

SI3590DV-T1-E3

SI3590DV-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

compliant

SI3590DV-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.27120 -
6,000 $0.25360 -
15,000 $0.24480 -
30,000 $0.24000 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.5A, 1.7A
rds ein (max) @ id, vgs 77mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 830mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
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