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SI3867DV-T1-GE3

SI3867DV-T1-GE3

SI3867DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP

compliant

SI3867DV-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 51mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

SI6433BDQ-T1-E3
94-3316
94-3316
$0 $/Stück
NVD20N03L27T4G
NVD20N03L27T4G
$0 $/Stück
IRLR2703TRR
XR46000ESE
XR46000ESE
$0 $/Stück
IPSH4N03LA G
FQD7P06TM_NB82050
FQD7P06TM_NB82050
$0 $/Stück
HUFA75545S3S
HUFA75545S3S
$0 $/Stück
SIR808DP-T1-GE3

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